Image is for reference only , details as Specifications

2SB1495,Q(J

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
Produktkategorie: Transistors - Bipolar (BJT) - Single
Datenblatt: 2SB1495,Q(J
Beschreibung: TRANS PNP 3A 100V TO220-3
RoHS-Status: RoHS-konform
Attribut Attributwert
Hersteller Toshiba Semiconductor and Storage
Produktkategorie Transistors - Bipolar (BJT) - Single
Serie -
Verpackung Bulk
Teilstatus Obsolete
Leistung - Max 2W
Montagetyp Through Hole
Paket / Fall TO-220-3 Full Pack
Transistortyp PNP
Betriebstemperatur 150°C (TJ)
Frequenz - Übergang -
Lieferanten-Gerätepaket TO-220NIS
Vce Sättigung (Max.) 1.5V @ 1.5mA, 1.5A
Strom - Kollektor (Ic) (Max) 3A
Strom - Collector Cutoff (Max) 10µA (ICBO)
Gleichstromverstärkung (hFE) (Min) 2000 @ 2A, 2V
Spannung - Kollektor Emitter Aufschlüsselung (Max) 100V

Auf Lager 61 pcs

Refrence Preis ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
$0.00 $0.00 $0.00
Minimale: 1

Anforderungsangebot

Füllen Sie das untenstehende Formular aus und wir werden uns so schnell wie möglich mit Ihnen in Verbindung setzen.

Bargain Finds

2SB1481(TOJS,Q,M)
Toshiba Semiconductor and Storage
$0
2SB1457,T6YMEF(M
Toshiba Semiconductor and Storage
$0
2SB1457,T6TOTOF(J
Toshiba Semiconductor and Storage
$0
2SB1457(TE6,F,M)
Toshiba Semiconductor and Storage
$0
2SB1457(T6DW,F,M)
Toshiba Semiconductor and Storage
$0