2SB1481(TOJS,Q,M)
Hersteller: | Toshiba Semiconductor and Storage |
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Produktkategorie: | Transistors - Bipolar (BJT) - Single |
Datenblatt: | 2SB1481(TOJS,Q,M) |
Beschreibung: | TRANS PNP 4A 100V TO220-3 |
RoHS-Status: | RoHS-konform |
Attribut | Attributwert |
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Hersteller | Toshiba Semiconductor and Storage |
Produktkategorie | Transistors - Bipolar (BJT) - Single |
Serie | - |
Verpackung | Bulk |
Teilstatus | Obsolete |
Leistung - Max | 2W |
Montagetyp | Through Hole |
Paket / Fall | TO-220-3 Full Pack |
Transistortyp | PNP |
Betriebstemperatur | 150°C (TJ) |
Frequenz - Übergang | - |
Lieferanten-Gerätepaket | TO-220NIS |
Vce Sättigung (Max.) | 1.5V @ 6mA, 3A |
Strom - Kollektor (Ic) (Max) | 4A |
Strom - Collector Cutoff (Max) | 2µA (ICBO) |
Gleichstromverstärkung (hFE) (Min) | 2000 @ 3A, 2V |
Spannung - Kollektor Emitter Aufschlüsselung (Max) | 100V |
Auf Lager 69 pcs
Refrence Preis ($) | 1 pcs | 100 pcs | 500 pcs |
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$0.00 | $0.00 | $0.00 |
Minimale: 1