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2SA965-O(TE6,F,M)

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
Produktkategorie: Transistors - Bipolar (BJT) - Single
Datenblatt: 2SA965-O(TE6,F,M)
Beschreibung: TRANS PNP 800MA 120V TO226-3
RoHS-Status: RoHS-konform
Attribut Attributwert
Hersteller Toshiba Semiconductor and Storage
Produktkategorie Transistors - Bipolar (BJT) - Single
Serie -
Verpackung Bulk
Teilstatus Obsolete
Leistung - Max 900mW
Montagetyp Through Hole
Paket / Fall TO-226-3, TO-92-3 Long Body
Transistortyp PNP
Betriebstemperatur 150°C (TJ)
Frequenz - Übergang 120MHz
Lieferanten-Gerätepaket LSTM
Vce Sättigung (Max.) 1V @ 50mA, 500mA
Strom - Kollektor (Ic) (Max) 800mA
Strom - Collector Cutoff (Max) 100nA (ICBO)
Gleichstromverstärkung (hFE) (Min) 80 @ 100mA, 5V
Spannung - Kollektor Emitter Aufschlüsselung (Max) 120V

Auf Lager 94 pcs

Refrence Preis ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
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Minimale: 1

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