Image is for reference only , details as Specifications

2SA949-Y(TE6,F,M)

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
Produktkategorie: Transistors - Bipolar (BJT) - Single
Datenblatt: 2SA949-Y(TE6,F,M)
Beschreibung: TRANS PNP 50MA 150V TO226-3
RoHS-Status: RoHS-konform
Attribut Attributwert
Hersteller Toshiba Semiconductor and Storage
Produktkategorie Transistors - Bipolar (BJT) - Single
Serie -
Verpackung Bulk
Teilstatus Obsolete
Leistung - Max 800mW
Montagetyp Through Hole
Paket / Fall TO-226-3, TO-92-3 Long Body
Transistortyp PNP
Betriebstemperatur 150°C (TJ)
Frequenz - Übergang 120MHz
Lieferanten-Gerätepaket TO-92MOD
Vce Sättigung (Max.) 800mV @ 1mA, 10A
Strom - Kollektor (Ic) (Max) 50mA
Strom - Collector Cutoff (Max) 100nA (ICBO)
Gleichstromverstärkung (hFE) (Min) 70 @ 10mA, 5V
Spannung - Kollektor Emitter Aufschlüsselung (Max) 150V

Auf Lager 62 pcs

Refrence Preis ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
$0.00 $0.00 $0.00
Minimale: 1

Anforderungsangebot

Füllen Sie das untenstehende Formular aus und wir werden uns so schnell wie möglich mit Ihnen in Verbindung setzen.

Bargain Finds

2SA949-Y(T6SHRP,FM
Toshiba Semiconductor and Storage
$0
2SA949-Y(T6ONK1,FM
Toshiba Semiconductor and Storage
$0
2SA949-Y(T6JVC1,FM
Toshiba Semiconductor and Storage
$0
2SA949-Y(JVC1,F,M)
Toshiba Semiconductor and Storage
$0
2SA949-O(TE6,F,M)
Toshiba Semiconductor and Storage
$0