2SA949-Y(TE6,F,M)
Hersteller: | Toshiba Semiconductor and Storage |
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Produktkategorie: | Transistors - Bipolar (BJT) - Single |
Datenblatt: | 2SA949-Y(TE6,F,M) |
Beschreibung: | TRANS PNP 50MA 150V TO226-3 |
RoHS-Status: | RoHS-konform |
Attribut | Attributwert |
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Hersteller | Toshiba Semiconductor and Storage |
Produktkategorie | Transistors - Bipolar (BJT) - Single |
Serie | - |
Verpackung | Bulk |
Teilstatus | Obsolete |
Leistung - Max | 800mW |
Montagetyp | Through Hole |
Paket / Fall | TO-226-3, TO-92-3 Long Body |
Transistortyp | PNP |
Betriebstemperatur | 150°C (TJ) |
Frequenz - Übergang | 120MHz |
Lieferanten-Gerätepaket | TO-92MOD |
Vce Sättigung (Max.) | 800mV @ 1mA, 10A |
Strom - Kollektor (Ic) (Max) | 50mA |
Strom - Collector Cutoff (Max) | 100nA (ICBO) |
Gleichstromverstärkung (hFE) (Min) | 70 @ 10mA, 5V |
Spannung - Kollektor Emitter Aufschlüsselung (Max) | 150V |
Auf Lager 62 pcs
Refrence Preis ($) | 1 pcs | 100 pcs | 500 pcs |
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$0.00 | $0.00 | $0.00 |
Minimale: 1