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2SA1162S-GR,LF(D

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
Produktkategorie: Transistors - Bipolar (BJT) - Single
Datenblatt: 2SA1162S-GR,LF(D
Beschreibung: TRANSISTOR PNP 50V 150MA S-MINI
RoHS-Status: RoHS-konform
Attribut Attributwert
Hersteller Toshiba Semiconductor and Storage
Produktkategorie Transistors - Bipolar (BJT) - Single
Serie -
Verpackung Tape & Reel (TR)
Teilstatus Obsolete
Leistung - Max 150mW
Montagetyp Surface Mount
Paket / Fall TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Transistortyp PNP
Betriebstemperatur 125°C (TJ)
Frequenz - Übergang 80MHz
Lieferanten-Gerätepaket S-Mini
Vce Sättigung (Max.) 300mV @ 10mA, 100mA
Strom - Kollektor (Ic) (Max) 150mA
Strom - Collector Cutoff (Max) 100nA (ICBO)
Gleichstromverstärkung (hFE) (Min) 70 @ 2mA, 6V
Spannung - Kollektor Emitter Aufschlüsselung (Max) 50V

Auf Lager 99 pcs

Refrence Preis ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
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Minimale: 1

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