Image is for reference only , details as Specifications

BCW60FNE6393HTSA1

Hersteller: Infineon Technologies
Produktkategorie: Transistors - Bipolar (BJT) - Single
Datenblatt: BCW60FNE6393HTSA1
Beschreibung: TRANSISTOR AF SOT23
RoHS-Status: RoHS-konform
Attribut Attributwert
Hersteller Infineon Technologies
Produktkategorie Transistors - Bipolar (BJT) - Single
Serie -
Verpackung Tape & Reel (TR)
Teilstatus Last Time Buy
Leistung - Max 330mW
Montagetyp Surface Mount
Paket / Fall TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Transistortyp NPN
Betriebstemperatur 150°C (TJ)
Frequenz - Übergang 250MHz
Lieferanten-Gerätepaket SOT-23-3
Vce Sättigung (Max.) 550mV @ 1.25mA, 50mA
Strom - Kollektor (Ic) (Max) 100mA
Strom - Collector Cutoff (Max) 20nA (ICBO)
Gleichstromverstärkung (hFE) (Min) 380 @ 2mA, 5V
Spannung - Kollektor Emitter Aufschlüsselung (Max) 32V

Auf Lager 71 pcs

Refrence Preis ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
$0.00 $0.00 $0.00
Minimale: 1

Anforderungsangebot

Füllen Sie das untenstehende Formular aus und wir werden uns so schnell wie möglich mit Ihnen in Verbindung setzen.

Bargain Finds

BCW60E6422HTMA1
Infineon Technologies
$0
BCV47E6393HTSA1
Infineon Technologies
$0
BCV27E6395HTMA1
Infineon Technologies
$0
BCR116E6393HTSA1
Infineon Technologies
$0
CHIPT0204GUE6327X6SA1
Infineon Technologies
$0