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STW58N65DM2AG

Hersteller: STMicroelectronics
Produktkategorie: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Datenblatt: STW58N65DM2AG
Beschreibung: MOSFET N-CH 650V 48A
RoHS-Status: RoHS-konform
Attribut Attributwert
Hersteller STMicroelectronics
Produktkategorie Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Serie Automotive, AEC-Q101, MDmesh™ DM2
FET-Typ N-Channel
Verpackung Tube
Vgs (Max.) ±25V
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
FET-Funktion -
Teilstatus Active
Montagetyp Through Hole
Paket / Fall TO-247-3
Basis-Teilenummer STW58N
Vgs(th) (Max) @ Id 5V @ 250µA
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) bei Id, Vgs 65mOhm @ 24A, 10V
Verlustleistung (Max.) 360W (Tc)
Lieferanten-Gerätepaket TO-247
Gate Charge (Qg) (Max.) 88nC @ 10V
Drain to Source Voltage (Vdss) 650V
Eingangskapazität (Ciss) (Max. 4100pF @ 100V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C 48A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V

Auf Lager 597 pcs

Refrence Preis ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
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Minimale: 1

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