TK040N65Z,S1F
Hersteller: | Toshiba Semiconductor and Storage |
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Produktkategorie: | Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
Datenblatt: | TK040N65Z,S1F |
Beschreibung: | PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR TO- |
RoHS-Status: | RoHS-konform |
Attribut | Attributwert |
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Hersteller | Toshiba Semiconductor and Storage |
Produktkategorie | Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
Serie | - |
FET-Typ | N-Channel |
Vgs (Max.) | ±30V |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
FET-Funktion | - |
Teilstatus | Active |
Montagetyp | Through Hole |
Paket / Fall | TO-247-3 |
Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 2.85mA |
Betriebstemperatur | 150°C |
Rds On (Max) bei Id, Vgs | 40mOhm @ 28.5A, 10V |
Verlustleistung (Max.) | 360W (Tc) |
Lieferanten-Gerätepaket | TO-247 |
Gate Charge (Qg) (Max.) | 105nC @ 10V |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 650V |
Eingangskapazität (Ciss) (Max. | 6250pF @ 300V |
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C | 57A (Ta) |
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Auf Lager 226 pcs
Refrence Preis ($) | 1 pcs | 100 pcs | 500 pcs |
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$10.50 | $10.29 | $10.08 |
Minimale: 1