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TK040N65Z,S1F

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
Produktkategorie: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Datenblatt: TK040N65Z,S1F
Beschreibung: PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR TO-
RoHS-Status: RoHS-konform
Attribut Attributwert
Hersteller Toshiba Semiconductor and Storage
Produktkategorie Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Serie -
FET-Typ N-Channel
Vgs (Max.) ±30V
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
FET-Funktion -
Teilstatus Active
Montagetyp Through Hole
Paket / Fall TO-247-3
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 2.85mA
Betriebstemperatur 150°C
Rds On (Max) bei Id, Vgs 40mOhm @ 28.5A, 10V
Verlustleistung (Max.) 360W (Tc)
Lieferanten-Gerätepaket TO-247
Gate Charge (Qg) (Max.) 105nC @ 10V
Drain to Source Voltage (Vdss) 650V
Eingangskapazität (Ciss) (Max. 6250pF @ 300V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C 57A (Ta)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V

Auf Lager 226 pcs

Refrence Preis ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
$10.50 $10.29 $10.08
Minimale: 1

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