STQ1HN60K3-AP
Hersteller: | STMicroelectronics |
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Produktkategorie: | Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
Datenblatt: | STQ1HN60K3-AP |
Beschreibung: | MOSFET N-CH 600V 0.4A TO-92 |
RoHS-Status: | RoHS-konform |
Attribut | Attributwert |
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Hersteller | STMicroelectronics |
Produktkategorie | Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
Serie | SuperMESH3™ |
FET-Typ | N-Channel |
Verpackung | Cut Tape (CT) |
Vgs (Max.) | ±30V |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
FET-Funktion | - |
Teilstatus | Active |
Montagetyp | Through Hole |
Paket / Fall | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) |
Basis-Teilenummer | STQ1 |
Vgs(th) (Max) @ Id | 4.5V @ 50µA |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Rds On (Max) bei Id, Vgs | 8Ohm @ 600mA, 10V |
Verlustleistung (Max.) | 3W (Tc) |
Lieferanten-Gerätepaket | TO-92-3 |
Gate Charge (Qg) (Max.) | 9.5nC @ 10V |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 600V |
Eingangskapazität (Ciss) (Max. | 140pF @ 50V |
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C | 400mA (Tc) |
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Auf Lager 3667 pcs
Refrence Preis ($) | 1 pcs | 100 pcs | 500 pcs |
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$0.80 | $0.78 | $0.77 |
Minimale: 1