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SI7772DP-T1-GE3

Hersteller: Vishay / Siliconix
Produktkategorie: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Datenblatt: SI7772DP-T1-GE3
Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 35.6A PPAK SO-8
RoHS-Status: RoHS-konform
Attribut Attributwert
Hersteller Vishay / Siliconix
Produktkategorie Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Serie SkyFET®, TrenchFET®
FET-Typ N-Channel
Verpackung Digi-Reel®
Vgs (Max.) ±20V
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
FET-Funktion -
Teilstatus Active
Montagetyp Surface Mount
Paket / Fall PowerPAK® SO-8
Vgs(th) (Max) @ Id 2.5V @ 250µA
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) bei Id, Vgs 13mOhm @ 15A, 10V
Verlustleistung (Max.) 3.9W (Ta), 29.8W (Tc)
Lieferanten-Gerätepaket PowerPAK® SO-8
Gate Charge (Qg) (Max.) 28nC @ 10V
Drain to Source Voltage (Vdss) 30V
Eingangskapazität (Ciss) (Max. 1084pF @ 15V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C 35.6A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V

Auf Lager 4242 pcs

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