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STI13NM60N

Hersteller: STMicroelectronics
Produktkategorie: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Datenblatt: STI13NM60N
Beschreibung: MOSFET N-CH 600V 11A I2PAK
RoHS-Status: RoHS-konform
Attribut Attributwert
Hersteller STMicroelectronics
Produktkategorie Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Serie MDmesh™ II
FET-Typ N-Channel
Verpackung Tube
Vgs (Max.) ±25V
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
FET-Funktion -
Teilstatus Active
Montagetyp Through Hole
Paket / Fall TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Basis-Teilenummer STI13N
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 250µA
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) bei Id, Vgs 360mOhm @ 5.5A, 10V
Verlustleistung (Max.) 90W (Tc)
Lieferanten-Gerätepaket I2PAK
Gate Charge (Qg) (Max.) 30nC @ 10V
Drain to Source Voltage (Vdss) 600V
Eingangskapazität (Ciss) (Max. 790pF @ 50V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C 11A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V

Auf Lager 51 pcs

Refrence Preis ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
$0.92 $0.90 $0.88
Minimale: 1

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