R6006JND3TL1
Hersteller: | ROHM Semiconductor |
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Produktkategorie: | Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
Datenblatt: | R6006JND3TL1 |
Beschreibung: | NCH 600V 6A POWER MOSFET. R6006 |
RoHS-Status: | RoHS-konform |
Attribut | Attributwert |
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Hersteller | ROHM Semiconductor |
Produktkategorie | Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
Serie | - |
FET-Typ | N-Channel |
Verpackung | Digi-Reel® |
Vgs (Max.) | ±30V |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
FET-Funktion | - |
Teilstatus | Active |
Montagetyp | Surface Mount |
Paket / Fall | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
Vgs(th) (Max) @ Id | 7V @ 800µA |
Betriebstemperatur | 150°C (TJ) |
Rds On (Max) bei Id, Vgs | 936mOhm @ 3A, 15V |
Verlustleistung (Max.) | 86W (Tc) |
Lieferanten-Gerätepaket | TO-252 |
Gate Charge (Qg) (Max.) | 15.5nC @ 15V |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 600V |
Eingangskapazität (Ciss) (Max. | 410pF @ 100V |
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C | 6A (Tc) |
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 15V |
Auf Lager 72 pcs
Refrence Preis ($) | 1 pcs | 100 pcs | 500 pcs |
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Minimale: 1