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STH250N55F3-6

Hersteller: STMicroelectronics
Produktkategorie: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Datenblatt: STH250N55F3-6
Beschreibung: MOSFET N-CH 55V 180A H2PAK-6
RoHS-Status: RoHS-konform
Attribut Attributwert
Hersteller STMicroelectronics
Produktkategorie Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Serie STripFET™ III
FET-Typ N-Channel
Verpackung Digi-Reel®
Vgs (Max.) ±20V
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
FET-Funktion -
Teilstatus Obsolete
Montagetyp Surface Mount
Paket / Fall TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab)
Basis-Teilenummer STH250
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 250µA
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ)
Rds On (Max) bei Id, Vgs 2.6mOhm @ 60A, 10V
Verlustleistung (Max.) 300W (Tc)
Lieferanten-Gerätepaket H²PAK
Gate Charge (Qg) (Max.) 100nC @ 10V
Drain to Source Voltage (Vdss) 55V
Eingangskapazität (Ciss) (Max. 6800pF @ 25V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C 180A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V

Auf Lager 980 pcs

Refrence Preis ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
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Minimale: 1

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