Bild dient nur als Referenz , Siehe Produktspezifikationen

IXTA3N120HV

Hersteller: IXYS
Produktkategorie: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Datenblatt: IXTA3N120HV
Beschreibung: MOSFET N-CH 1.2KV 3A TO263
RoHS-Status: RoHS-konform
Attribut Attributwert
Hersteller IXYS
Produktkategorie Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Serie -
FET-Typ N-Channel
Verpackung Tube
Vgs (Max.) ±20V
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
FET-Funktion -
Teilstatus Active
Montagetyp Surface Mount
Paket / Fall TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Vgs(th) (Max) @ Id 5V @ 250µA
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) bei Id, Vgs 4.5Ohm @ 500mA, 10V
Verlustleistung (Max.) 200W (Tc)
Lieferanten-Gerätepaket TO-263
Gate Charge (Qg) (Max.) 42nC @ 10V
Drain to Source Voltage (Vdss) 1200V
Eingangskapazität (Ciss) (Max. 1100pF @ 25V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C 3A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V

Auf Lager 255 pcs

Refrence Preis ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
$5.83 $5.71 $5.60
Minimale: 1

Anforderungsangebot

Füllen Sie das untenstehende Formular aus und wir werden uns so schnell wie möglich mit Ihnen in Verbindung setzen.

Bargain Finds

IPI60R125CPXKSA1
Infineon Technologies
$5.83
IRF3805S-7PPBF
Infineon Technologies
$5.8
IPA60R125CPXKSA1
Infineon Technologies
$5.83
STB41N40DM6AG
STMicroelectronics
$0
SUM85N15-19-E3
Vishay / Siliconix
$0