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STGD6M65DF2

Hersteller: STMicroelectronics
Produktkategorie: Transistors - IGBTs - Single
Datenblatt: STGD6M65DF2
Beschreibung: TRENCH GATE FIELD-STOP IGBT, M S
RoHS-Status: RoHS-konform
Attribut Attributwert
Hersteller STMicroelectronics
Produktkategorie Transistors - IGBTs - Single
Serie M
IGBT-Typ Trench Field Stop
Verpackung Digi-Reel®
Eingabetyp Standard
Gate Charge 21.2nC
Teilstatus Active
Leistung - Max 88W
Montagetyp Surface Mount
Paket / Fall TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Testbedingung 400V, 6A, 22Ohm, 15V
Basis-Teilenummer STGD6
Schalten der Energie 36µJ (on), 200µJ (off)
TD (ein/aus) bei 25°C 15ns/90ns
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ)
Lieferanten-Gerätepaket DPAK
Vce(on) (Max) - Vge, Ic 2V @ 15V, 6A
Reverse Recovery Time (trr) 140ns
Strom - Kollektor (Ic) (Max) 12A
Strom - Collector Pulsed (Icm) 24A
Spannung - Kollektor Emitter Aufschlüsselung (Max) 650V

Auf Lager 2145 pcs

Refrence Preis ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
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Minimale: 1

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