STGD6M65DF2
Hersteller: | STMicroelectronics |
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Produktkategorie: | Transistors - IGBTs - Single |
Datenblatt: | STGD6M65DF2 |
Beschreibung: | TRENCH GATE FIELD-STOP IGBT, M S |
RoHS-Status: | RoHS-konform |
Attribut | Attributwert |
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Hersteller | STMicroelectronics |
Produktkategorie | Transistors - IGBTs - Single |
Serie | M |
IGBT-Typ | Trench Field Stop |
Verpackung | Digi-Reel® |
Eingabetyp | Standard |
Gate Charge | 21.2nC |
Teilstatus | Active |
Leistung - Max | 88W |
Montagetyp | Surface Mount |
Paket / Fall | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
Testbedingung | 400V, 6A, 22Ohm, 15V |
Basis-Teilenummer | STGD6 |
Schalten der Energie | 36µJ (on), 200µJ (off) |
TD (ein/aus) bei 25°C | 15ns/90ns |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Lieferanten-Gerätepaket | DPAK |
Vce(on) (Max) - Vge, Ic | 2V @ 15V, 6A |
Reverse Recovery Time (trr) | 140ns |
Strom - Kollektor (Ic) (Max) | 12A |
Strom - Collector Pulsed (Icm) | 24A |
Spannung - Kollektor Emitter Aufschlüsselung (Max) | 650V |
Auf Lager 2145 pcs
Refrence Preis ($) | 1 pcs | 100 pcs | 500 pcs |
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Minimale: 1