FGD3N60UNDF
Hersteller: | ON Semiconductor |
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Produktkategorie: | Transistors - IGBTs - Single |
Datenblatt: | FGD3N60UNDF |
Beschreibung: | IGBT 600V 6A 60W DPAK |
RoHS-Status: | RoHS-konform |
Attribut | Attributwert |
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Hersteller | ON Semiconductor |
Produktkategorie | Transistors - IGBTs - Single |
Serie | - |
IGBT-Typ | NPT |
Verpackung | Digi-Reel® |
Eingabetyp | Standard |
Gate Charge | 1.6nC |
Teilstatus | Active |
Leistung - Max | 60W |
Montagetyp | Surface Mount |
Paket / Fall | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
Testbedingung | 400V, 3A, 10Ohm, 15V |
Basis-Teilenummer | FGD3N60 |
Schalten der Energie | 52µJ (on), 30µJ (off) |
TD (ein/aus) bei 25°C | 5.5ns/22ns |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Lieferanten-Gerätepaket | TO-252, (D-Pak) |
Vce(on) (Max) - Vge, Ic | 2.52V @ 15V, 3A |
Reverse Recovery Time (trr) | 21ns |
Strom - Kollektor (Ic) (Max) | 6A |
Strom - Collector Pulsed (Icm) | 9A |
Spannung - Kollektor Emitter Aufschlüsselung (Max) | 600V |
Auf Lager 1900 pcs
Refrence Preis ($) | 1 pcs | 100 pcs | 500 pcs |
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Minimale: 1