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STD4NK80Z-1

Hersteller: STMicroelectronics
Produktkategorie: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Datenblatt: STD4NK80Z-1
Beschreibung: MOSFET N-CH 800V 3A IPAK
RoHS-Status: RoHS-konform
Attribut Attributwert
Hersteller STMicroelectronics
Produktkategorie Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Serie SuperMESH™
FET-Typ N-Channel
Verpackung Tube
Vgs (Max.) ±30V
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
FET-Funktion -
Teilstatus Active
Montagetyp Through Hole
Paket / Fall TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Basis-Teilenummer STD4N
Vgs(th) (Max) @ Id 4.5V @ 50µA
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) bei Id, Vgs 3.5Ohm @ 1.5A, 10V
Verlustleistung (Max.) 80W (Tc)
Lieferanten-Gerätepaket I-PAK
Gate Charge (Qg) (Max.) 22.5nC @ 10V
Drain to Source Voltage (Vdss) 800V
Eingangskapazität (Ciss) (Max. 575pF @ 25V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C 3A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V

Auf Lager 4888 pcs

Refrence Preis ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
$1.69 $1.66 $1.62
Minimale: 1

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