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IRFBE30PBF

Hersteller: Vishay / Siliconix
Produktkategorie: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Datenblatt: IRFBE30PBF
Beschreibung: MOSFET N-CH 800V 4.1A TO-220AB
RoHS-Status: RoHS-konform
Attribut Attributwert
Hersteller Vishay / Siliconix
Produktkategorie Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Serie -
FET-Typ N-Channel
Verpackung Tube
Vgs (Max.) ±20V
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
FET-Funktion -
Teilstatus Active
Montagetyp Through Hole
Paket / Fall TO-220-3
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 250µA
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) bei Id, Vgs 3Ohm @ 2.5A, 10V
Verlustleistung (Max.) 125W (Tc)
Lieferanten-Gerätepaket TO-220AB
Gate Charge (Qg) (Max.) 78nC @ 10V
Drain to Source Voltage (Vdss) 800V
Eingangskapazität (Ciss) (Max. 1300pF @ 25V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C 4.1A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V

Auf Lager 3757 pcs

Refrence Preis ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
$1.68 $1.65 $1.61
Minimale: 1

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