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STD1HN60K3

Hersteller: STMicroelectronics
Produktkategorie: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Datenblatt: STD1HN60K3
Beschreibung: MOSFET N-CH 600V 1.2A DPAK
RoHS-Status: RoHS-konform
Attribut Attributwert
Hersteller STMicroelectronics
Produktkategorie Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Serie SuperMESH3™
FET-Typ N-Channel
Verpackung Digi-Reel®
Vgs (Max.) ±30V
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
FET-Funktion -
Teilstatus Discontinued at Digi-Key
Montagetyp Surface Mount
Paket / Fall TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Basis-Teilenummer STD1HN
Vgs(th) (Max) @ Id 4.5V @ 50µA
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) bei Id, Vgs 8Ohm @ 600mA, 10V
Verlustleistung (Max.) 27W (Tc)
Lieferanten-Gerätepaket DPAK
Gate Charge (Qg) (Max.) 9.5nC @ 10V
Drain to Source Voltage (Vdss) 600V
Eingangskapazität (Ciss) (Max. 140pF @ 50V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C 1.2A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V

Auf Lager 67 pcs

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