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DMTH43M8LPSQ-13

Hersteller: Diodes Incorporated
Produktkategorie: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Datenblatt: DMTH43M8LPSQ-13
Beschreibung: MOSFETN-CH 40VPOWERDI5060-8
RoHS-Status: RoHS-konform
Attribut Attributwert
Hersteller Diodes Incorporated
Produktkategorie Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Serie Automotive, AEC-Q101
FET-Typ N-Channel
Verpackung Digi-Reel®
Vgs (Max.) ±20V
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
FET-Funktion -
Teilstatus Active
Montagetyp Surface Mount
Paket / Fall 8-PowerTDFN
Vgs(th) (Max) @ Id 2.5V @ 250µA
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ)
Rds On (Max) bei Id, Vgs 3.3mOhm @ 20A, 10V
Verlustleistung (Max.) 2.7W (Ta)
Lieferanten-Gerätepaket PowerDI5060-8
Gate Charge (Qg) (Max.) 49nC @ 10V
Drain to Source Voltage (Vdss) 40V
Eingangskapazität (Ciss) (Max. 3.367nF @ 20V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C 22A (Ta), 100A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 5V, 10V

Auf Lager 2570 pcs

Refrence Preis ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
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Minimale: 1

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