Bild dient nur als Referenz , Siehe Produktspezifikationen

STB42N60M2-EP

Hersteller: STMicroelectronics
Produktkategorie: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Datenblatt: STB42N60M2-EP
Beschreibung: MOSFET N-CH 600V 34A EP D2PAK
RoHS-Status: RoHS-konform
Attribut Attributwert
Hersteller STMicroelectronics
Produktkategorie Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Serie MDmesh™ M2-EP
FET-Typ N-Channel
Verpackung Digi-Reel®
Vgs (Max.) ±25V
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
FET-Funktion -
Teilstatus Active
Montagetyp Surface Mount
Paket / Fall TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Basis-Teilenummer STB42N
Vgs(th) (Max) @ Id 4.75V @ 250µA
Betriebstemperatur 150°C (TJ)
Rds On (Max) bei Id, Vgs 87mOhm @ 17A, 10V
Verlustleistung (Max.) 250W (Tc)
Lieferanten-Gerätepaket D2PAK
Gate Charge (Qg) (Max.) 55nC @ 10V
Drain to Source Voltage (Vdss) 600V
Eingangskapazität (Ciss) (Max. 2370pF @ 100V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C 34A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V

Auf Lager 48 pcs

Refrence Preis ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
$0.00 $0.00 $0.00
Minimale: 1

Anforderungsangebot

Füllen Sie das untenstehende Formular aus und wir werden uns so schnell wie möglich mit Ihnen in Verbindung setzen.

Bargain Finds

SIHH21N60EF-T1-GE3
Vishay / Siliconix
$0
IXFQ30N60X
IXYS
$5.57
FDH047AN08A0
ON Semiconductor
$5.55
IXTP80N075L2
IXYS
$5.51
IXFP34N65X2M
IXYS
$5.41