Bild dient nur als Referenz , Siehe Produktspezifikationen

IXFQ30N60X

Hersteller: IXYS
Produktkategorie: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Datenblatt: IXFQ30N60X
Beschreibung: MOSFET N-CH 600V 30A TO3P
RoHS-Status: RoHS-konform
Attribut Attributwert
Hersteller IXYS
Produktkategorie Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Serie HiPerFET™
FET-Typ N-Channel
Verpackung Tube
Vgs (Max.) ±30V
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
FET-Funktion -
Teilstatus Active
Montagetyp Through Hole
Paket / Fall TO-3P-3, SC-65-3
Vgs(th) (Max) @ Id 4.5V @ 4mA
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) bei Id, Vgs 155mOhm @ 15A, 10V
Verlustleistung (Max.) 500W (Tc)
Lieferanten-Gerätepaket TO-3P
Gate Charge (Qg) (Max.) 56nC @ 10V
Drain to Source Voltage (Vdss) 600V
Eingangskapazität (Ciss) (Max. 2270pF @ 25V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C 30A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V

Auf Lager 57 pcs

Refrence Preis ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
$5.57 $5.46 $5.35
Minimale: 1

Anforderungsangebot

Füllen Sie das untenstehende Formular aus und wir werden uns so schnell wie möglich mit Ihnen in Verbindung setzen.

Bargain Finds

FDH047AN08A0
ON Semiconductor
$5.55
IXTP80N075L2
IXYS
$5.51
IXFP34N65X2M
IXYS
$5.41
TK20C60W,S1VQ
Toshiba Semiconductor and Storage
$5.28
STH185N10F3-6
STMicroelectronics
$0