Bild dient nur als Referenz , Siehe Produktspezifikationen
SCTWA50N120
| Hersteller: | STMicroelectronics |
|---|---|
| Produktkategorie: | Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
| Datenblatt: | SCTWA50N120 |
| Beschreibung: | MOSFET N-CH 1200V 65A HIP247 |
| RoHS-Status: | RoHS-konform |
| Attribut | Attributwert |
|---|---|
| Hersteller | STMicroelectronics |
| Produktkategorie | Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
| Serie | - |
| FET-Typ | N-Channel |
| Vgs (Max.) | +25V, -10V |
| Technologie | SiCFET (Silicon Carbide) |
| FET-Funktion | - |
| Teilstatus | Active |
| Montagetyp | Through Hole |
| Paket / Fall | TO-247-3 |
| Basis-Teilenummer | SCTWA |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3V @ 1mA |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 200°C (TJ) |
| Rds On (Max) bei Id, Vgs | 69mOhm @ 40A, 20V |
| Verlustleistung (Max.) | 318W (Tc) |
| Lieferanten-Gerätepaket | HiP247™ |
| Gate Charge (Qg) (Max.) | 122nC @ 20V |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 1200V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max. | 1900pF @ 400V |
| Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C | 65A (Tc) |
| Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 20V |
Auf Lager 480 pcs
| Refrence Preis ($) | 1 pcs | 100 pcs | 500 pcs |
|---|---|---|---|
| $35.32 | $34.61 | $33.92 |
Minimale: 1
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