IPZ65R019C7XKSA1
Hersteller: | Infineon Technologies |
---|---|
Produktkategorie: | Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
Datenblatt: | IPZ65R019C7XKSA1 |
Beschreibung: | MOSFET N-CH 650V TO247-4 |
RoHS-Status: | RoHS-konform |
Attribut | Attributwert |
---|---|
Hersteller | Infineon Technologies |
Produktkategorie | Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
Serie | CoolMOS™ C7 |
FET-Typ | N-Channel |
Verpackung | Tube |
Vgs (Max.) | ±20V |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
FET-Funktion | - |
Teilstatus | Active |
Montagetyp | Through Hole |
Paket / Fall | TO-247-4 |
Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 2.92mA |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Rds On (Max) bei Id, Vgs | 19mOhm @ 58.3A, 10V |
Verlustleistung (Max.) | 446W (Tc) |
Lieferanten-Gerätepaket | PG-TO247-4 |
Gate Charge (Qg) (Max.) | 215nC @ 10V |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 650V |
Eingangskapazität (Ciss) (Max. | 9900pF @ 400V |
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C | 75A (Tc) |
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Auf Lager 118 pcs
Refrence Preis ($) | 1 pcs | 100 pcs | 500 pcs |
---|---|---|---|
$20.15 | $19.75 | $19.35 |
Minimale: 1