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RJP65T54DPM-A0#T2

Hersteller: Renesas Electronics America
Produktkategorie: Transistors - IGBTs - Single
Datenblatt: RJP65T54DPM-A0#T2
Beschreibung: IGBT TRENCH 650V 60A TO-3PFP
RoHS-Status: RoHS-konform
Attribut Attributwert
Hersteller Renesas Electronics America
Produktkategorie Transistors - IGBTs - Single
Serie -
IGBT-Typ Trench
Verpackung Tube
Eingabetyp Standard
Gate Charge 72nC
Teilstatus Obsolete
Leistung - Max 63.5W
Montagetyp Through Hole
Paket / Fall SC-94
Testbedingung 400V, 30A, 10Ohm, 15V
Schalten der Energie 330µJ (on), 760µJ (off)
TD (ein/aus) bei 25°C 35ns/120ns
Betriebstemperatur 175°C (TJ)
Lieferanten-Gerätepaket TO-3PFP
Vce(on) (Max) - Vge, Ic 1.68V @ 15V, 30A
Strom - Kollektor (Ic) (Max) 60A
Spannung - Kollektor Emitter Aufschlüsselung (Max) 650V

Auf Lager 53 pcs

Refrence Preis ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
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Minimale: 1

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