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FGD3N60LSDTM-T

Hersteller: ON Semiconductor
Produktkategorie: Transistors - IGBTs - Single
Datenblatt: FGD3N60LSDTM-T
Beschreibung: INTEGRATED CIRCUIT
RoHS-Status: RoHS-konform
Attribut Attributwert
Hersteller ON Semiconductor
Produktkategorie Transistors - IGBTs - Single
Serie -
IGBT-Typ -
Eingabetyp Standard
Gate Charge 12.5nC
Teilstatus Obsolete
Leistung - Max 40W
Montagetyp Surface Mount
Paket / Fall TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Testbedingung 480V, 3A, 470Ohm, 10V
Schalten der Energie 250µJ (on), 1mJ (off)
TD (ein/aus) bei 25°C 40ns/600ns
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Lieferanten-Gerätepaket TO-252, (D-Pak)
Vce(on) (Max) - Vge, Ic 1.5V @ 10V, 3A
Reverse Recovery Time (trr) 234ns
Strom - Kollektor (Ic) (Max) 6A
Strom - Collector Pulsed (Icm) 25A
Spannung - Kollektor Emitter Aufschlüsselung (Max) 600V

Auf Lager 79 pcs

Refrence Preis ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
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