FGD3N60LSDTM-T
Hersteller: | ON Semiconductor |
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Produktkategorie: | Transistors - IGBTs - Single |
Datenblatt: | FGD3N60LSDTM-T |
Beschreibung: | INTEGRATED CIRCUIT |
RoHS-Status: | RoHS-konform |
Attribut | Attributwert |
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Hersteller | ON Semiconductor |
Produktkategorie | Transistors - IGBTs - Single |
Serie | - |
IGBT-Typ | - |
Eingabetyp | Standard |
Gate Charge | 12.5nC |
Teilstatus | Obsolete |
Leistung - Max | 40W |
Montagetyp | Surface Mount |
Paket / Fall | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
Testbedingung | 480V, 3A, 470Ohm, 10V |
Schalten der Energie | 250µJ (on), 1mJ (off) |
TD (ein/aus) bei 25°C | 40ns/600ns |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Lieferanten-Gerätepaket | TO-252, (D-Pak) |
Vce(on) (Max) - Vge, Ic | 1.5V @ 10V, 3A |
Reverse Recovery Time (trr) | 234ns |
Strom - Kollektor (Ic) (Max) | 6A |
Strom - Collector Pulsed (Icm) | 25A |
Spannung - Kollektor Emitter Aufschlüsselung (Max) | 600V |
Auf Lager 79 pcs
Refrence Preis ($) | 1 pcs | 100 pcs | 500 pcs |
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Minimale: 1