Bild dient nur als Referenz , Siehe Produktspezifikationen
FGD3N60LSDTM-T
| Hersteller: | ON Semiconductor |
|---|---|
| Produktkategorie: | Transistors - IGBTs - Single |
| Datenblatt: | FGD3N60LSDTM-T |
| Beschreibung: | INTEGRATED CIRCUIT |
| RoHS-Status: | RoHS-konform |
| Attribut | Attributwert |
|---|---|
| Hersteller | ON Semiconductor |
| Produktkategorie | Transistors - IGBTs - Single |
| Serie | - |
| IGBT-Typ | - |
| Eingabetyp | Standard |
| Gate Charge | 12.5nC |
| Teilstatus | Obsolete |
| Leistung - Max | 40W |
| Montagetyp | Surface Mount |
| Paket / Fall | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Testbedingung | 480V, 3A, 470Ohm, 10V |
| Schalten der Energie | 250µJ (on), 1mJ (off) |
| TD (ein/aus) bei 25°C | 40ns/600ns |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Lieferanten-Gerätepaket | TO-252, (D-Pak) |
| Vce(on) (Max) - Vge, Ic | 1.5V @ 10V, 3A |
| Reverse Recovery Time (trr) | 234ns |
| Strom - Kollektor (Ic) (Max) | 6A |
| Strom - Collector Pulsed (Icm) | 25A |
| Spannung - Kollektor Emitter Aufschlüsselung (Max) | 600V |
Auf Lager 79 pcs
| Refrence Preis ($) | 1 pcs | 100 pcs | 500 pcs |
|---|---|---|---|
| $0.00 | $0.00 | $0.00 |
Minimale: 1
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