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RJP60F4DPM-00#T1

Hersteller: Renesas Electronics America
Produktkategorie: Transistors - IGBTs - Single
Datenblatt: RJP60F4DPM-00#T1
Beschreibung: IGBT 600V 60A 41.2W TO-3PFM
RoHS-Status: RoHS-konform
Attribut Attributwert
Hersteller Renesas Electronics America
Produktkategorie Transistors - IGBTs - Single
Serie -
IGBT-Typ Trench
Verpackung Tube
Eingabetyp Standard
Teilstatus Active
Leistung - Max 41.2W
Montagetyp Through Hole
Paket / Fall TO-3PFM, SC-93-3
Testbedingung 400V, 30A, 5Ohm, 15V
Basis-Teilenummer RJP60F
Schalten der Energie -
TD (ein/aus) bei 25°C 45ns/70ns
Betriebstemperatur 150°C (TJ)
Lieferanten-Gerätepaket TO-3PFM
Vce(on) (Max) - Vge, Ic 1.82V @ 15V, 30A
Strom - Kollektor (Ic) (Max) 60A
Spannung - Kollektor Emitter Aufschlüsselung (Max) 600V

Auf Lager 88 pcs

Refrence Preis ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
$6.06 $5.94 $5.82
Minimale: 1

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