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HGTG5N120BND

Hersteller: ON Semiconductor
Produktkategorie: Transistors - IGBTs - Single
Datenblatt: HGTG5N120BND
Beschreibung: IGBT 1200V 21A 167W TO247
RoHS-Status: RoHS-konform
Attribut Attributwert
Hersteller ON Semiconductor
Produktkategorie Transistors - IGBTs - Single
Serie -
IGBT-Typ NPT
Verpackung Tube
Eingabetyp Standard
Gate Charge 53nC
Teilstatus Not For New Designs
Leistung - Max 167W
Montagetyp Through Hole
Paket / Fall TO-247-3
Testbedingung 960V, 5A, 25Ohm, 15V
Schalten der Energie 450µJ (on), 390µJ (off)
TD (ein/aus) bei 25°C 22ns/160ns
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Lieferanten-Gerätepaket TO-247-3
Vce(on) (Max) - Vge, Ic 2.7V @ 15V, 5A
Reverse Recovery Time (trr) 65ns
Strom - Kollektor (Ic) (Max) 21A
Strom - Collector Pulsed (Icm) 40A
Spannung - Kollektor Emitter Aufschlüsselung (Max) 1200V

Auf Lager 63 pcs

Refrence Preis ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
$2.81 $2.75 $2.70
Minimale: 1

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