Bild dient nur als Referenz , Siehe Produktspezifikationen

RJK6032DPH-E0#T2

Hersteller: Renesas Electronics America
Produktkategorie: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Datenblatt: RJK6032DPH-E0#T2
Beschreibung: MOSFET N-CH 600V 3A TO251
RoHS-Status: RoHS-konform
Attribut Attributwert
Hersteller Renesas Electronics America
Produktkategorie Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Serie -
FET-Typ N-Channel
Verpackung Tape & Reel (TR)
Vgs (Max.) ±30V
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
FET-Funktion -
Teilstatus Obsolete
Montagetyp Through Hole
Paket / Fall TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Vgs(th) (Max) @ Id -
Betriebstemperatur 150°C (TJ)
Rds On (Max) bei Id, Vgs 4.3Ohm @ 1.5A, 10V
Verlustleistung (Max.) 40.3W (Tc)
Lieferanten-Gerätepaket TO-251
Gate Charge (Qg) (Max.) 9nC @ 10V
Drain to Source Voltage (Vdss) 600V
Eingangskapazität (Ciss) (Max. 285pF @ 25V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C 3A (Ta)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V

Auf Lager 84 pcs

Refrence Preis ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
$0.00 $0.00 $0.00
Minimale: 1

Anforderungsangebot

Füllen Sie das untenstehende Formular aus und wir werden uns so schnell wie möglich mit Ihnen in Verbindung setzen.

Bargain Finds

RJK6032DPD-00#J2
Renesas Electronics America
$0
RJK6026DPE-00#J3
Renesas Electronics America
$0
RJK6020DPK-00#T0
Renesas Electronics America
$0
RJK6018DPM-00#T1
Renesas Electronics America
$0
RJK6018DPK-00#T0
Renesas Electronics America
$0