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RJK6018DPM-00#T1

Hersteller: Renesas Electronics America
Produktkategorie: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Datenblatt: RJK6018DPM-00#T1
Beschreibung: MOSFET N-CH 600V 30A TO3PFM
RoHS-Status: RoHS-konform
Attribut Attributwert
Hersteller Renesas Electronics America
Produktkategorie Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Serie -
FET-Typ N-Channel
Verpackung Tube
Vgs (Max.) ±30V
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
FET-Funktion -
Teilstatus Active
Montagetyp Through Hole
Paket / Fall TO-3PFM, SC-93-3
Vgs(th) (Max) @ Id -
Betriebstemperatur 150°C (TJ)
Rds On (Max) bei Id, Vgs 235mOhm @ 15A, 10V
Verlustleistung (Max.) 60W (Tc)
Lieferanten-Gerätepaket TO-3PFM
Gate Charge (Qg) (Max.) 92nC @ 10V
Drain to Source Voltage (Vdss) 600V
Eingangskapazität (Ciss) (Max. 4100pF @ 25V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C 30A (Ta)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V

Auf Lager 54 pcs

Refrence Preis ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
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Minimale: 1

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