RJK4532DPD-E0#J2
Hersteller: | Renesas Electronics America |
---|---|
Produktkategorie: | Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
Datenblatt: | RJK4532DPD-E0#J2 |
Beschreibung: | MOSFET N-CH MP3A |
RoHS-Status: | RoHS-konform |
Attribut | Attributwert |
---|---|
Hersteller | Renesas Electronics America |
Produktkategorie | Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
Serie | - |
FET-Typ | N-Channel |
Vgs (Max.) | ±30V |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
FET-Funktion | - |
Teilstatus | Obsolete |
Montagetyp | Surface Mount |
Paket / Fall | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
Vgs(th) (Max) @ Id | 4.5V @ 1mA |
Betriebstemperatur | 150°C |
Rds On (Max) bei Id, Vgs | 2.3Ohm @ 2A, 10V |
Verlustleistung (Max.) | 40.3W (Tc) |
Lieferanten-Gerätepaket | MP-3A |
Gate Charge (Qg) (Max.) | 9nC @ 10V |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 450V |
Eingangskapazität (Ciss) (Max. | 280pF @ 25V |
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C | 4A (Ta) |
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Auf Lager 97 pcs
Refrence Preis ($) | 1 pcs | 100 pcs | 500 pcs |
---|---|---|---|
$0.00 | $0.00 | $0.00 |
Minimale: 1