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RJK2057DPA-WS#J0

Hersteller: Renesas Electronics America
Produktkategorie: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Datenblatt: RJK2057DPA-WS#J0
Beschreibung: MOSFET N-CH W-PAK
RoHS-Status: RoHS-konform
Attribut Attributwert
Hersteller Renesas Electronics America
Produktkategorie Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Serie -
FET-Typ N-Channel
Vgs (Max.) ±30V
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
FET-Funktion -
Teilstatus Obsolete
Montagetyp Surface Mount
Paket / Fall 8-PowerWDFN
Vgs(th) (Max) @ Id 4.5V @ 1mA
Betriebstemperatur 150°C
Rds On (Max) bei Id, Vgs 85mOhm @ 10A, 10V
Verlustleistung (Max.) 30W (Tc)
Lieferanten-Gerätepaket 8-WPAK
Gate Charge (Qg) (Max.) 19nC @ 10V
Drain to Source Voltage (Vdss) 200V
Eingangskapazität (Ciss) (Max. 1250pF @ 25V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C 20A (Ta)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V

Auf Lager 61 pcs

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