RJK2057DPA-WS#J0
Hersteller: | Renesas Electronics America |
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Produktkategorie: | Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
Datenblatt: | RJK2057DPA-WS#J0 |
Beschreibung: | MOSFET N-CH W-PAK |
RoHS-Status: | RoHS-konform |
Attribut | Attributwert |
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Hersteller | Renesas Electronics America |
Produktkategorie | Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
Serie | - |
FET-Typ | N-Channel |
Vgs (Max.) | ±30V |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
FET-Funktion | - |
Teilstatus | Obsolete |
Montagetyp | Surface Mount |
Paket / Fall | 8-PowerWDFN |
Vgs(th) (Max) @ Id | 4.5V @ 1mA |
Betriebstemperatur | 150°C |
Rds On (Max) bei Id, Vgs | 85mOhm @ 10A, 10V |
Verlustleistung (Max.) | 30W (Tc) |
Lieferanten-Gerätepaket | 8-WPAK |
Gate Charge (Qg) (Max.) | 19nC @ 10V |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 200V |
Eingangskapazität (Ciss) (Max. | 1250pF @ 25V |
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C | 20A (Ta) |
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Auf Lager 61 pcs
Refrence Preis ($) | 1 pcs | 100 pcs | 500 pcs |
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Minimale: 1