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RJH60D7DPM-00#T1

Hersteller: Renesas Electronics America
Produktkategorie: Transistors - IGBTs - Single
Datenblatt: RJH60D7DPM-00#T1
Beschreibung: IGBT 600V 90A 55W TO3PFM
RoHS-Status: RoHS-konform
Attribut Attributwert
Hersteller Renesas Electronics America
Produktkategorie Transistors - IGBTs - Single
Serie -
IGBT-Typ Trench
Verpackung Tube
Eingabetyp Standard
Gate Charge 130nC
Teilstatus Active
Leistung - Max 55W
Montagetyp Through Hole
Paket / Fall TO-3PFM, SC-93-3
Testbedingung 300V, 50A, 5Ohm, 15V
Basis-Teilenummer RJH60D
Schalten der Energie 1.1mJ (on), 600µJ (off)
TD (ein/aus) bei 25°C 60ns/190ns
Betriebstemperatur 150°C (TJ)
Lieferanten-Gerätepaket TO-3PFM
Vce(on) (Max) - Vge, Ic 2.2V @ 15V, 50A
Reverse Recovery Time (trr) 100ns
Strom - Kollektor (Ic) (Max) 90A
Spannung - Kollektor Emitter Aufschlüsselung (Max) 600V

Auf Lager 93 pcs

Refrence Preis ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
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Minimale: 1

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