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RJH60D5DPK-00#T0

Hersteller: Renesas Electronics America
Produktkategorie: Transistors - IGBTs - Single
Datenblatt: RJH60D5DPK-00#T0
Beschreibung: IGBT 600V 75A 200W TO3P
RoHS-Status: RoHS-konform
Attribut Attributwert
Hersteller Renesas Electronics America
Produktkategorie Transistors - IGBTs - Single
Serie -
IGBT-Typ Trench
Verpackung Tube
Eingabetyp Standard
Gate Charge 78nC
Teilstatus Active
Leistung - Max 200W
Montagetyp Through Hole
Paket / Fall TO-3P-3, SC-65-3
Testbedingung 300V, 37A, 5Ohm, 15V
Basis-Teilenummer RJH60D
Schalten der Energie 650µJ (on), 400µJ (off)
TD (ein/aus) bei 25°C 50ns/135ns
Betriebstemperatur 150°C (TJ)
Lieferanten-Gerätepaket TO-3P
Vce(on) (Max) - Vge, Ic 2.2V @ 15V, 37A
Reverse Recovery Time (trr) 100ns
Strom - Kollektor (Ic) (Max) 75A
Spannung - Kollektor Emitter Aufschlüsselung (Max) 600V

Auf Lager 72 pcs

Refrence Preis ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
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Minimale: 1

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