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NP50P03YDG-E1-AY

Hersteller: Renesas Electronics America
Produktkategorie: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Datenblatt: NP50P03YDG-E1-AY
Beschreibung: MOSFET P-CH 30V 50A 8HSON
RoHS-Status: RoHS-konform
Attribut Attributwert
Hersteller Renesas Electronics America
Produktkategorie Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Serie -
FET-Typ P-Channel
Verpackung Tape & Reel (TR)
Vgs (Max.) ±20V
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
FET-Funktion -
Teilstatus Active
Montagetyp Surface Mount
Paket / Fall 8-SMD, Flat Lead Exposed Pad
Vgs(th) (Max) @ Id 2.5V @ 250µA
Betriebstemperatur 175°C (TJ)
Rds On (Max) bei Id, Vgs 8.4mOhm @ 25A, 10V
Verlustleistung (Max.) 1W (Ta), 102W (Tc)
Lieferanten-Gerätepaket 8-HSON
Gate Charge (Qg) (Max.) 96nC @ 10V
Drain to Source Voltage (Vdss) 30V
Eingangskapazität (Ciss) (Max. 3500pF @ 25V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C 50A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 5V, 10V

Auf Lager 81 pcs

Refrence Preis ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
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Minimale: 1

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