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NP23N06YDG-E1-AY

Hersteller: Renesas Electronics America
Produktkategorie: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Datenblatt: NP23N06YDG-E1-AY
Beschreibung: MOSFET N-CH 60V 23A 8HSON
RoHS-Status: RoHS-konform
Attribut Attributwert
Hersteller Renesas Electronics America
Produktkategorie Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Serie -
FET-Typ N-Channel
Verpackung Tape & Reel (TR)
Vgs (Max.) ±20V
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
FET-Funktion -
Teilstatus Active
Montagetyp Surface Mount
Paket / Fall 8-SMD, Flat Lead Exposed Pad
Vgs(th) (Max) @ Id 2.5V @ 250µA
Betriebstemperatur 175°C (TJ)
Rds On (Max) bei Id, Vgs 27mOhm @ 11.5A, 10V
Verlustleistung (Max.) 1W (Ta), 60W (Tc)
Lieferanten-Gerätepaket 8-HSON
Gate Charge (Qg) (Max.) 41nC @ 10V
Drain to Source Voltage (Vdss) 60V
Eingangskapazität (Ciss) (Max. 1800pF @ 25V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C 23A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 5V, 10V

Auf Lager 58 pcs

Refrence Preis ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
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Minimale: 1

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