Bild dient nur als Referenz , Siehe Produktspezifikationen

HAT2279H-EL-E

Hersteller: Renesas Electronics America
Produktkategorie: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Datenblatt: HAT2279H-EL-E
Beschreibung: MOSFET N-CH 80V 30A 5LFPAK
RoHS-Status: RoHS-konform
Attribut Attributwert
Hersteller Renesas Electronics America
Produktkategorie Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Serie -
FET-Typ N-Channel
Verpackung Digi-Reel®
Vgs (Max.) ±20V
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
FET-Funktion -
Teilstatus Not For New Designs
Montagetyp Surface Mount
Paket / Fall SC-100, SOT-669
Vgs(th) (Max) @ Id -
Betriebstemperatur 150°C (TJ)
Rds On (Max) bei Id, Vgs 12mOhm @ 15A, 10V
Verlustleistung (Max.) 25W (Tc)
Lieferanten-Gerätepaket LFPAK
Gate Charge (Qg) (Max.) 60nC @ 10V
Drain to Source Voltage (Vdss) 80V
Eingangskapazität (Ciss) (Max. 3520pF @ 10V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C 30A (Ta)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V

Auf Lager 1952 pcs

Refrence Preis ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
$0.00 $0.00 $0.00
Minimale: 1

Anforderungsangebot

Füllen Sie das untenstehende Formular aus und wir werden uns so schnell wie möglich mit Ihnen in Verbindung setzen.

Bargain Finds

HAT2160H-EL-E
Renesas Electronics America
$0
TPWR8503NL,L1Q
Toshiba Semiconductor and Storage
$0
IRFSL4410ZPBF
Infineon Technologies
$2.84
AONS66612
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
$0
FDB045AN08A0
ON Semiconductor
$0