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HAT2160H-EL-E

Hersteller: Renesas Electronics America
Produktkategorie: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Datenblatt: HAT2160H-EL-E
Beschreibung: MOSFET N-CH 20V 60A LFPAK
RoHS-Status: RoHS-konform
Attribut Attributwert
Hersteller Renesas Electronics America
Produktkategorie Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Serie -
FET-Typ N-Channel
Verpackung Digi-Reel®
Vgs (Max.) ±20V
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
FET-Funktion -
Teilstatus Not For New Designs
Montagetyp Surface Mount
Paket / Fall SC-100, SOT-669
Vgs(th) (Max) @ Id 2.3V @ 1mA
Betriebstemperatur 150°C (TJ)
Rds On (Max) bei Id, Vgs 2.6mOhm @ 30A, 10V
Verlustleistung (Max.) 30W (Tc)
Lieferanten-Gerätepaket LFPAK
Gate Charge (Qg) (Max.) 54nC @ 4.5V
Drain to Source Voltage (Vdss) 20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max. 7750pF @ 10V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C 60A (Ta)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V

Auf Lager 2444 pcs

Refrence Preis ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
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Minimale: 1

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