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HAT2165HWS-E
| Hersteller: | Renesas Electronics America |
|---|---|
| Produktkategorie: | Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
| Datenblatt: | HAT2165HWS-E |
| Beschreibung: | MOSFET N-CH LFPAK-5 |
| RoHS-Status: | RoHS-konform |
| Attribut | Attributwert |
|---|---|
| Hersteller | Renesas Electronics America |
| Produktkategorie | Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
| Serie | - |
| FET-Typ | N-Channel |
| Vgs (Max.) | ±20V |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| FET-Funktion | - |
| Teilstatus | Obsolete |
| Montagetyp | Surface Mount |
| Paket / Fall | SC-100, SOT-669 |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.5V @ 1mA |
| Betriebstemperatur | 150°C |
| Rds On (Max) bei Id, Vgs | 3.3mOhm @ 27.5A, 10V |
| Verlustleistung (Max.) | 30W (Tc) |
| Lieferanten-Gerätepaket | 5-LFPAK |
| Gate Charge (Qg) (Max.) | 33nC @ 4.5V |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max. | 5180pF @ 10V |
| Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C | 55A (Ta) |
| Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
Auf Lager 81 pcs
| Refrence Preis ($) | 1 pcs | 100 pcs | 500 pcs |
|---|---|---|---|
| $0.00 | $0.00 | $0.00 |
Minimale: 1
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