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HAT1069C-EL-E
| Hersteller: | Renesas Electronics America |
|---|---|
| Produktkategorie: | Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
| Datenblatt: | HAT1069C-EL-E |
| Beschreibung: | MOSFET P-CH SMD |
| RoHS-Status: | RoHS-konform |
| Attribut | Attributwert |
|---|---|
| Hersteller | Renesas Electronics America |
| Produktkategorie | Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
| Serie | - |
| FET-Typ | P-Channel |
| Vgs (Max.) | ±8V |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| FET-Funktion | - |
| Teilstatus | Obsolete |
| Montagetyp | Surface Mount |
| Paket / Fall | 6-SMD, Flat Leads |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1.2V @ 1mA |
| Betriebstemperatur | 150°C |
| Rds On (Max) bei Id, Vgs | 52mOhm @ 1.5A, 4.5V |
| Verlustleistung (Max.) | 900mW (Ta) |
| Lieferanten-Gerätepaket | 6-CMFPAK |
| Gate Charge (Qg) (Max.) | 16nC @ 4.5V |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 12V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max. | 1380pF @ 10V |
| Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C | 4A (Ta) |
| Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 1.8V, 4.5V |
Auf Lager 97 pcs
| Refrence Preis ($) | 1 pcs | 100 pcs | 500 pcs |
|---|---|---|---|
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Minimale: 1
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