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US6M11TR

Hersteller: ROHM Semiconductor
Produktkategorie: Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
Datenblatt: US6M11TR
Beschreibung: MOSFET N/P-CH 20V/12V TUMT6
RoHS-Status: RoHS-konform
Attribut Attributwert
Hersteller ROHM Semiconductor
Produktkategorie Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
Serie -
FET-Typ N and P-Channel
Verpackung Tape & Reel (TR)
FET-Funktion Logic Level Gate
Teilstatus Active
Leistung - Max 1W
Montagetyp Surface Mount
Paket / Fall 6-SMD, Flat Leads
Basis-Teilenummer *M11
Vgs(th) (Max) @ Id 1V @ 1mA
Betriebstemperatur 150°C (TJ)
Rds On (Max) bei Id, Vgs 180mOhm @ 1.5A, 4.5V
Lieferanten-Gerätepaket TUMT6
Gate Charge (Qg) (Max.) 1.8nC @ 4.5V
Drain to Source Voltage (Vdss) 20V, 12V
Eingangskapazität (Ciss) (Max. 110pF @ 10V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C 1.5A, 1.3A

Auf Lager 74 pcs

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