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SIA910EDJ-T1-GE3

Hersteller: Vishay / Siliconix
Produktkategorie: Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
Datenblatt: SIA910EDJ-T1-GE3
Beschreibung: MOSFET 2N-CH 12V 4.5A SC-70-6
RoHS-Status: RoHS-konform
Attribut Attributwert
Hersteller Vishay / Siliconix
Produktkategorie Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
Serie TrenchFET®
FET-Typ 2 N-Channel (Dual)
Verpackung Tape & Reel (TR)
FET-Funktion Logic Level Gate
Teilstatus Active
Leistung - Max 7.8W
Montagetyp Surface Mount
Paket / Fall PowerPAK® SC-70-6 Dual
Basis-Teilenummer SIA910E
Vgs(th) (Max) @ Id 1V @ 250µA
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) bei Id, Vgs 28mOhm @ 5.2A, 4.5V
Lieferanten-Gerätepaket PowerPAK® SC-70-6 Dual
Gate Charge (Qg) (Max.) 16nC @ 8V
Drain to Source Voltage (Vdss) 12V
Eingangskapazität (Ciss) (Max. 455pF @ 6V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C 4.5A

Auf Lager 89 pcs

Refrence Preis ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
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