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UMH11NTN

Hersteller: ROHM Semiconductor
Produktkategorie: Transistors - Bipolar (BJT) - Arrays, Pre-Biased
Datenblatt: UMH11NTN
Beschreibung: TRANS 2NPN PREBIAS 0.15W UMT6
RoHS-Status: RoHS-konform
Attribut Attributwert
Hersteller ROHM Semiconductor
Produktkategorie Transistors - Bipolar (BJT) - Arrays, Pre-Biased
Serie -
Verpackung Digi-Reel®
Teilstatus Active
Leistung - Max 150mW
Montagetyp Surface Mount
Paket / Fall 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Transistortyp 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Basis-Teilenummer *MH11
Widerstand - Basis (R1) 10kOhms
Frequenz - Übergang 250MHz
Lieferanten-Gerätepaket UMT6
Widerstand - Emitter-Basis (R2) 10kOhms
Vce Sättigung (Max.) 300mV @ 500µA, 10mA
Strom - Kollektor (Ic) (Max) 100mA
Strom - Collector Cutoff (Max) 500nA
Gleichstromverstärkung (hFE) (Min) 30 @ 5mA, 5V
Spannung - Kollektor Emitter Aufschlüsselung (Max) 50V

Auf Lager 4065 pcs

Refrence Preis ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
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Minimale: 1

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