Bild dient nur als Referenz , Siehe Produktspezifikationen

UMD12NTR

Hersteller: ROHM Semiconductor
Produktkategorie: Transistors - Bipolar (BJT) - Arrays, Pre-Biased
Datenblatt: UMD12NTR
Beschreibung: TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.15W UMT6
RoHS-Status: RoHS-konform
Attribut Attributwert
Hersteller ROHM Semiconductor
Produktkategorie Transistors - Bipolar (BJT) - Arrays, Pre-Biased
Serie -
Verpackung Digi-Reel®
Teilstatus Active
Leistung - Max 150mW
Montagetyp Surface Mount
Paket / Fall 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Transistortyp 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Basis-Teilenummer MD12
Widerstand - Basis (R1) 47kOhms
Frequenz - Übergang 250MHz
Lieferanten-Gerätepaket UMT6
Widerstand - Emitter-Basis (R2) 47kOhms
Vce Sättigung (Max.) 300mV @ 500µA, 10mA
Strom - Kollektor (Ic) (Max) 100mA
Strom - Collector Cutoff (Max) 500nA
Gleichstromverstärkung (hFE) (Min) 68 @ 5mA, 5V
Spannung - Kollektor Emitter Aufschlüsselung (Max) 50V

Auf Lager 8607 pcs

Refrence Preis ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
$0.00 $0.00 $0.00
Minimale: 1

Anforderungsangebot

Füllen Sie das untenstehende Formular aus und wir werden uns so schnell wie möglich mit Ihnen in Verbindung setzen.

Bargain Finds

FFB2227A
ON Semiconductor
$0
IMZ1AT108
ROHM Semiconductor
$0
DMMT5551S-7-F
Diodes Incorporated
$0
DMMT5401-7-F
Diodes Incorporated
$0
BCM847DS,115
Nexperia USA Inc.
$0