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SH8M13GZETB

Hersteller: ROHM Semiconductor
Produktkategorie: Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
Datenblatt: SH8M13GZETB
Beschreibung: MIDDLE POWER MOSFET SERIES (DUAL
RoHS-Status: RoHS-konform
Attribut Attributwert
Hersteller ROHM Semiconductor
Produktkategorie Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
Serie -
FET-Typ N and P-Channel
Verpackung Digi-Reel®
FET-Funktion -
Teilstatus Active
Leistung - Max 2W
Montagetyp Surface Mount
Paket / Fall 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Vgs(th) (Max) @ Id 2.5V @ 1mA
Betriebstemperatur 150°C (TJ)
Rds On (Max) bei Id, Vgs 29mOhm @ 7A, 10V
Lieferanten-Gerätepaket 8-SOP
Gate Charge (Qg) (Max.) 18nC @ 5V
Drain to Source Voltage (Vdss) 30V
Eingangskapazität (Ciss) (Max. 1200pF @ 10V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C 6A, 7A

Auf Lager 1809 pcs

Refrence Preis ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
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Minimale: 1

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