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SI4590DY-T1-GE3

Hersteller: Vishay / Siliconix
Produktkategorie: Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
Datenblatt: SI4590DY-T1-GE3
Beschreibung: MOSFET N/P CHAN 100V SO8 DUAL
RoHS-Status: RoHS-konform
Attribut Attributwert
Hersteller Vishay / Siliconix
Produktkategorie Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
Serie TrenchFET®
FET-Typ N and P-Channel
Verpackung Digi-Reel®
FET-Funktion -
Teilstatus Active
Leistung - Max 2.4W, 3.4W
Montagetyp Surface Mount
Paket / Fall 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Vgs(th) (Max) @ Id 2.5V @ 250µA
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) bei Id, Vgs 57mOhm @ 2A, 10V
Lieferanten-Gerätepaket 8-SO
Gate Charge (Qg) (Max.) 11.5nC @ 10V
Drain to Source Voltage (Vdss) 100V
Eingangskapazität (Ciss) (Max. 360pF @ 50V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C 3.4A, 2.8A

Auf Lager 2044 pcs

Refrence Preis ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
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