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RW1E025RPT2CR

Hersteller: ROHM Semiconductor
Produktkategorie: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Datenblatt: RW1E025RPT2CR
Beschreibung: MOSFET P-CH 30V 2.5A WEMT6
RoHS-Status: RoHS-konform
Attribut Attributwert
Hersteller ROHM Semiconductor
Produktkategorie Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Serie -
FET-Typ P-Channel
Verpackung Digi-Reel®
Vgs (Max.) ±20V
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
FET-Funktion -
Teilstatus Not For New Designs
Montagetyp Surface Mount
Paket / Fall SOT-563, SOT-666
Vgs(th) (Max) @ Id 2.5V @ 1mA
Betriebstemperatur 150°C (TJ)
Rds On (Max) bei Id, Vgs 75mOhm @ 2.5A, 10V
Verlustleistung (Max.) 700mW (Ta)
Lieferanten-Gerätepaket 6-WEMT
Gate Charge (Qg) (Max.) 5.2nC @ 5V
Drain to Source Voltage (Vdss) 30V
Eingangskapazität (Ciss) (Max. 480pF @ 10V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C 2.5A (Ta)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4V, 10V

Auf Lager 8274 pcs

Refrence Preis ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
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Minimale: 1

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