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GA20JT12-263

Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Produktkategorie: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Datenblatt: GA20JT12-263
Beschreibung: TRANS SJT 1200V 45A
RoHS-Status: RoHS-konform
Attribut Attributwert
Hersteller GeneSiC Semiconductor
Produktkategorie Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Serie -
FET-Typ -
Verpackung Tube
Vgs (Max.) -
Technologie SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
FET-Funktion -
Teilstatus Active
Montagetyp Surface Mount
Paket / Fall TO-263-8, D²Pak (7 Leads + Tab), TO-263CA
Vgs(th) (Max) @ Id -
Betriebstemperatur 175°C (TJ)
Rds On (Max) bei Id, Vgs 60mOhm @ 20A
Verlustleistung (Max.) 282W (Tc)
Lieferanten-Gerätepaket D2PAK (7-Lead)
Drain to Source Voltage (Vdss) 1200V
Eingangskapazität (Ciss) (Max. 3091pF @ 800V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C 45A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) -

Auf Lager 171 pcs

Refrence Preis ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
$35.36 $34.65 $33.96
Minimale: 1

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