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RSJ650N10TL

Hersteller: ROHM Semiconductor
Produktkategorie: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Datenblatt: RSJ650N10TL
Beschreibung: MOSFET N-CH 100V 65A LPTS
RoHS-Status: RoHS-konform
Attribut Attributwert
Hersteller ROHM Semiconductor
Produktkategorie Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Serie -
FET-Typ N-Channel
Verpackung Digi-Reel®
Vgs (Max.) ±20V
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
FET-Funktion -
Teilstatus Active
Montagetyp Surface Mount
Paket / Fall TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Vgs(th) (Max) @ Id 2.5V @ 1mA
Betriebstemperatur 150°C (TJ)
Rds On (Max) bei Id, Vgs 9.1mOhm @ 32.5A, 10V
Verlustleistung (Max.) 100W (Tc)
Lieferanten-Gerätepaket LPTS
Gate Charge (Qg) (Max.) 260nC @ 10V
Drain to Source Voltage (Vdss) 100V
Eingangskapazität (Ciss) (Max. 10780pF @ 25V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C 65A (Ta)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4V, 10V

Auf Lager 1209 pcs

Refrence Preis ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
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Minimale: 1

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