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RS1E281BNTB1

Hersteller: ROHM Semiconductor
Produktkategorie: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Datenblatt: RS1E281BNTB1
Beschreibung: RS1E281BN IS LOW ON-RESISTANCE A
RoHS-Status: RoHS-konform
Attribut Attributwert
Hersteller ROHM Semiconductor
Produktkategorie Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Serie -
FET-Typ N-Channel
Verpackung Digi-Reel®
Vgs (Max.) ±20V
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
FET-Funktion -
Teilstatus Active
Montagetyp Surface Mount
Paket / Fall 8-PowerTDFN
Vgs(th) (Max) @ Id 2.5V @ 1mA
Betriebstemperatur 150°C (TJ)
Rds On (Max) bei Id, Vgs 2.3mOhm @ 28A, 10V
Verlustleistung (Max.) 3W (Ta)
Lieferanten-Gerätepaket 8-HSOP
Gate Charge (Qg) (Max.) 94nC @ 10V
Drain to Source Voltage (Vdss) 30V
Eingangskapazität (Ciss) (Max. 5100pF @ 15V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C 28A (Ta), 80A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V

Auf Lager 2500 pcs

Refrence Preis ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
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Minimale: 1

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